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| 【动态】三菱电机宣布2013年量产SiC功率半导体 |
| （时间:2010-7-23 9:45:43） |
三菱电机公布了SiC功率半导体业务计划。在该公司面向新闻媒体举行的“功率器件业务说明会”(2010年7月15日在东京举行)上，三菱电机专务执行董事、半导体及器件业务本部长久间和生介绍了有关内容(参阅本站报道)。该公司计划从2011年度开始量产将SiC二极管与Si-IGBT组合在一起的混合型逆变器模块，并在该年度内首先配备到三菱电机制造的家电、产业设备以及太阳能发电系统等相关产品上。最初将用于面向日本国内市场的产品上。该公司目前使用该公司的功率器件工厂(福冈县福冈市)内的100mm(4英寸)晶圆产生线来量产SiC二极管，计划2013～2014年度量产将Si-IGBT换成SiC MOSFET的全SiC型逆变器模块。
三菱电机2009年12月在功率器件制作所内设立了处理能力为3000块/月的100mm晶圆试制生产线。“这一处理能力可满足目前的需求。力争2010年代上半期从公司内外获得可实现全负荷生产的订单”。该公司目前正在利用该生产线试制SiC二极管及SiC MOSFET，而且均获得了超过预想的高成品率，将来还打算利用150mm(6英寸)直径以上的晶圆来进行生产。该公司表示，虽然量产之初使用事先形成外延膜的外延晶圆，但为了提高器件质量的控制性，今后还将考虑采购裸晶圆，在公司内部形成外延膜。
对于配备SiC器件的逆变器模块的用途，该公司表示“将配备在2011年度本公司生产的产品上，考虑的候选领域有3～4个”。具体包括家电、产业设备、太阳能发电系统相关产品等。另外该公司还将积极推进模块的外销业务。从中长期看，“在SiC器件的配备对象中汽车将占有相当大的比例”。
三菱电机此前发布了与SiC器件有关的大量开发成果。与这种情况相比，该公司的产品计划则显得比竞争公司更为谨慎。比如，在SiC二极管方面，日本厂商中罗姆已从2010年5月开始实施量产，新日本无线也计划在2010年内开始量产。对此，三菱电机表示“在使用新材料量产器件时，稍不留意就会失败。我们将在SiC器件的质量和成本得到确认之后再进行量产。比如，在量产前需要充分掌握什么缺陷会影响器件质量，而什么缺陷不会影响器件质量的机制”。并且该公司还表示，其在SiC器件业务上的胜算就在于，“对功率半导体所需要的封装及模块化，拥有其他公司没有的丰富经验”。
在作为新一代高功率器件材料与SiC同样备受关注的GaN方面，三菱电机已推出雷达等宇航领域使用的高频功率放大器产品。至于在逆变器等功率半导体模块上的应用，该公司表示“现有GaN器件(的沟道)为横型，因此与纵型的SiC器件相比难以确保电流容量。不过，将来也有可能以实现在功率半导体模块上应用为目标展开相关开发”。
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