这些荧光填充物能把SiC基板上的GaNLED所发出的窄频域蓝光，转换成宽带谱的白光。专利发明人PeterAndrews指出，与目前将LED置于杯状基座(submount)中并以光转换材料封装的技术相比，在基板上刻蚀出凹槽是一大进展，因为前者会限制白光LED的最小尺寸。为了协助光脱离LED，厂商会改变基座的形状并提高其反射率，而Cree的凹槽设计也有提高光萃取率的作用。

    Andrews指出，除了传统LED使用的荧光粉外，在凹槽中引进硒化镉(CdSe)等半导体纳米微晶，也有助于控制发光波长。Cree建议以喷墨(inkjet)印刷、网印(screenprinting)与喷枪(airbrush)应用系统取代常见的旋涂法，将这类新颖材料填入凹槽中。

    尽管采用新的波长转换材料并增加了凹槽设计，LED裸晶仍保有传统的标准电极结构，因此可继续封装成LED，或直接那来使用，例如直接被固定在电路板或基板上作应用。

    Cree在11月宣布，大小为1mm×1mm高功率白光LED的发光效率可高达161lm/W。对于这项新记录，Cree表示这是晶粒与封装技术提升的结果。该公司表示，他们即将生产这种具有纪录优势的LED，将持续在生产过程中导入创新技术，预期一年内将开始量产这种高效能的LED。